一直很想找个键盘给我的iPad mini。
找了很久最后打算自己做一个。
买来了AB滴胶，复刻了键帽。
想做一款支持无限/有线连接和为iPad等设备供电的键盘，40配列的大小合适，再把材质的重量控制在最低，可以轻松携带出门，等于一个键盘式充电宝。
在外用iPad码字人士的福音呀！
我不是学硬件的，集成电路设计需要自己重新学，尝试了一下，好像不难。
以下是部分内容记录：
USB Type-C *
能处理视频信号，只需利用一个端口，就可以进行数据传输、供电受电、视频信号传输。
USB Power Delivery *
- USB Power Delievry（USB供电/以下简称USB PD）是利用USB（Universal Serial Bus）电缆，最大可100W供电受电的USB供电扩展标准。电池的充电标准是“USB BC（Battery Charging）1.2最大7.5W”，而USB PD可最大支持100W供电，可为平板电脑、笔记本电脑甚至显示器设备供电充电，并且支持快速充电。
- USB PD有规定的供电用连接器电缆。
- USB PD通信是在（Type-C的）CC1/CC2专用线信息传输检测的前提下，与以往的USB2.0数据通信（D+/D-）独立开来。
* 参考：https://www.rohm.com.cn/electronics-basics/usb-pd/usbpd_what1
BQ24166 电池供电管理
该元件的电源路径管理功能能为系统供电的同时独立为电池充电。充电器始终监控电池电流，并在系统负载要求电流超过输入电流限制时减少充电电流。
电池分三个阶段充电：调理、恒流和恒压。
引脚说明：
- IN：连接输入电源。
- 「IN」引脚连接外部直流电源DC supply（交流适配器AC adapter或备用电源，如无线充电）；
- 用至少1μF的陶瓷电容接地线PGND。
- 【此处连MUX电流出口OUT2】
- USB：连接USB输入电源。
- 「USB」引脚连接外部直流电源DC supply（交流适配器AC adapter或USB端口）；
- 用至少1μF陶瓷电容旁路「USB」到地线PGND。
- 【此处连MUX电流出口OUT2】
- PMIDI ：用于高功率输入的反向阻塞MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应管）和高边MOSFET的连接点：
- 用至少4.7μF陶瓷电容旁路到GND；
- 请谨慎将「PMIDI」连接到外部负载；
- 「PMIDI」输出不受电流限制；
- 任何导致「PMIDI」短路的情况都会损坏IC。
- PMIDU：用于「USB」输入的反向阻塞MOSFET和高边MOSFET的连接点：
- 用至少4.7μF陶瓷电容旁路到GND；
- 请谨慎将「PMIDU」连接到外部负载；
- 「PMIDU」输出不受电流限制；
- 任何导致「PMIDU」短路的情况都会损坏IC。
- SW：连接到外部感应器的开关侧。
- PGND：连接到热垫（仅适用于QFN）和电路的接地面。
- ILIM：对「IN」输入限流的编程输入端口：
- 通过增设一个「ILIM」和GND之间的电阻，实现编程输入控制「IN」电流限制；
- 可编程从1A到2.5A的电流限制；
- 「ILIM」对「USB」输入没有影响。
- VDPM：对DPM输入的编程输入端口。
- 在「IN」和GND之间增加一个电阻分压器，「VDPM」连接到中心的分接头，以编程基于输入电压的动态电源管理（VIN-DPM）阈值。
- 为维持VIN-DPM的电源电压，输入电流被降低（有关详细说明，请参阅官方说明文件中基于输入电压的动态电源管理部分）。
- CE上横线：低电平有效的充电使能输入（充电控制信号输入端）：
- 「CE」用于禁用或启用充电过程。
- 低逻辑级别(0)允许充电，高逻辑级别(1)禁止充电。
- 当充电关闭时，「SYS」输出保持在调节状态，但「BAT」与「SYS」断开。
- 当供电不能满足系统负载需求，仍然可以使用补充模式。
- 当「CE」高时，「BGATE」是高阻抗。
- IUSB1 、IUSB2、IUSB3：「USB」输入电流限制的编程输入端口：
- 「USB1」、「USB2」和「USB3」为「USB」输入设定输入电流限制；
- USB2.0和USB3.0的当前限制可以方便地实现这些标准；
- 官方说明文档中的表1（Table1）对其输入设置进行了说明；
- 「USB1」、「USB2」和「USB3」对「IN」输入没有影响。
- CE1、CE2（上横线）：JEITA合规输入：
- 「CE1」和「CE2」用于改变电池调节和充电电流调节，以符合JEITA的充电标准；
- 充电电压可降低至140mV或充电电流可降低至程序值的50%（编程细节请参见官方文档说明Table2）。
- BOOT：高边MOSFET门驱动电源：
- 从「BOOT」连接一个0.01μF陶瓷电容（额定电压> 10V）到「SW」，为高边MOSFET提供门极驱动。
- SYS：系统电压检测和充电器FET连接：
- 将「SYS」连接到输出散装电容处的系统输出；
- 本地旁路「SYS」至少10μF；
- 为获得最佳的瞬态响应，建议采用47μF旁路电容。
- BGATE：外部放电MOSFET栅连接：
- 「BGATE」驱动一个外部P Channel MOSFET，以提供非常低的电阻放电路径；
- 将「BGATE」连接到外部MOSFET的门上；
- 在高阻抗模式和无输入连接时，「BGATE」为低；
- 「BGATE」是可选的，如果未使用，保持BGATE不连接（unconnected）。
- PG（上横线）：电源良好的开漏输出（Power Good Indicator）：
- 当有效电源连接到「USB」或「IN」时，「PG」被拉低；
- 有效的电源介于VBAT+VSLP和VOVP之间；
- 如果没有电源连接或电源超出有效电源范围，则「PG」为高阻抗。
- DRV：门驱动电源：
- 「DRV」是内部MOSFET栅极驱动的偏置电源；
- 使用1μF陶瓷电容旁路接地线；
- 「DRV」可用于驱动外部负载高达10mA。当输入连接时「DRV」是活跃的，VSUPPLY > VUVLO和VSUPPLY > (VBAT + VSLP)
- BAT：连电池/组（正极），用至少1μF电容旁路接地线。
- CHG（上横线）：充能状态开漏输出：
- 当充电周期开始时「CHG」被拉低，并在充电时保持低；
- 当充电终止和无电源存在时，「CHG」是高阻抗；
- 「CHG」不表示充电周期。
- TS：电池组热敏电阻（NTC）监视器：
- 将「TS」连接到「DRV」和GND的电阻分压器的中心丝锥上（NTC是连接接地线的「TS」）；
- bq24166中的TS功能为热/冷关闭提供了2个阈值，而bq24167为JEITA符合性提供了2个附加阈值；
- 有关操作和选择电阻值的更多细节，请参阅官方说明文档中NTC监视器部分；
- 连接「TS」到「DRV」，关闭「TS」功能。
- ISET：充电电流的编程输入端口：
- 连接一个从「ISET」到GND的电阻来编程快速充电电流；
- 可编程从550mA到2.5A的充电电流。
参考：
http://www.ejiguan.cn/2021/changjianwtjd_0322/3169.html
电路符号：
